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功率循环试验分析实验室
西安长禾半导体技术有限公司（简称“长禾实验室”），位于中国西部科技创新高地——西安市高新技术产业开发区，是一家专注于功率半导体器件检测与验证的高新技术企业。 作为国家认可委员会（CNAS）正式认证的大功率
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2025-02-20 |
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IGBT第三代半导体器件电参数测试实验室
西安长禾半导体技术有限公司（简称“长禾实验室”），位于中国西部科技创新高地——西安市高新技术产业开发区，是一家专注于功率半导体器件检测与验证的高新技术企业。 作为国家认可委员会（CNAS）正式认证的大功率
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2025-02-20 |
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MOSFET模块雪崩能量测试服务实验室
西安长禾半导体技术有限公司（简称“长禾实验室”），位于中国西部科技创新高地——西安市高新技术产业开发区，是一家专注于功率半导体器件检测与验证的高新技术企业。 作为国家认可委员会（CNAS）正式认证的大功率
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2025-02-20 |
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MOSFET器件电参数测试服务实验室
西安长禾半导体技术有限公司（简称“长禾实验室”），位于中国西部科技创新高地——西安市高新技术产业开发区，是一家专注于功率半导体器件检测与验证的高新技术企业。 作为国家认可委员会（CNAS）正式认证的大功率
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2025-02-20 |
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电力半导体器件测试分析实验室
检测项目覆盖产品检测能力参考标准直流参数MOSFET、IGBODE等模块产品；检测电压：7500V 检测电流：6000A国标，IEC雪崩能量MOSFET、IGBODE，第三代半导体器件等单管器件检测电压：2500V 检测电流：200A美军标栅电阻MO
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2025-02-20 |
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IGBT动态参数 电子元器件失效分析实验室
西安长禾半导体技术有限公司（简称“长禾实验室”），位于中国西部科技创新高地——西安市高新技术产业开发区，是一家专注于功率半导体器件检测与验证的高新技术企业。 作为国家认可委员会（CNAS）正式认证的大功率
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MOSFET静态参数 电子元器件失效分析实验室
DC） 执行标准：IEC60747、GB/T29332-2012、DIODE、SCR、IGBT、2000V 检测z大电流：IR、ICEO、IDOFF、 IRRM、IGESF、IEBO、 IGSSR； 击穿参数：BVCES、BVCBO、 VRRM、BVZ、BVGSS； 导通参数：VBESAT、VF、VGETH、VGS
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SCR静态参数 电子元器件失效分析实验室
DC） 执行标准：IEC60747、GB/T 29332-2012； 试验对象：IGBT、SCR、整流桥等功率； 试验能力：检测z大电压：5000A 试验参数： 漏电参数：ICBO、IDSS、IDRM、ICES、IGESR、IGSSF、BVCEO、BVDSS、VDRM、BVR、BVEBO、V
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2025-02-20 |
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