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长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、军工院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。
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功率模块静态参数测试（DC） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：DIODE、IGBT、MOSFET、SCR、整流桥等功率； 试验能力：检测z大电压：7000V，检测z大电流：5000A 试验参数： 漏电参数：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR； 击穿参数：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS； 导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM； 关断参数：VGSOFF 触发参数：IGT、VGT 保持参数：IH、IH+、IH- 锁定参数：IL、IL+、IL- 混合参数：RDSON、GFS |
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开关特性测试（Switch） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块； 试验能力：检测z大电压：4500V 检测z大电流：5000A 试验参数：开通/关断时间ton/toff、上升/下降时间tr/tf、开通/关断延迟时间td(on)/td(off)、开通/关断损耗Eon/Eoff、电流尖峰Ic-peak max、电压尖峰Vce-peak max、电压变化率dv/dt、电流变化率di/dt； |
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反向恢复测试（Qrr） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块； 试验能力：检测z大电压：4500V 检测z大电流：5000A 试验参数：反向恢复电荷Qrr、反向恢复电流Irm、反向恢复时间Trr、反向恢复电流变化率diF/dt、反向恢复损耗Erec； |
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栅极电荷（Qg） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块；； 试验能力：检测z大电压：4500V 检测z大电流：5000A 试验参数：栅极电荷Qg、漏极电荷Qgs、源极电荷Qgd； |
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短路耐量（SCSOA） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模块器件； 试验能力：检测z大电压：4500V 检测z大电流：10000A 试验参数：短路电流Isc、短路时间Tsc、短路能量Esc； |
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结电容（Cg） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块； 试验能力：频率：0.1-1MHz、检测z大电压：1500V； 试验参数：输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Cres； |
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C-V曲线扫描 |
输入电容Ciss-V； 输出电容Coss-V； 反向传输电容Cres-V； |
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栅极电阻（Rg） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模块器件； 试验能力：检测z大电压：1500V； 试验参数：栅极等效电阻Rg |